Samsung desarrolla el primer chip de memoria flash de 32 gigas y un P-RAM de 512 megabits



Samsung Electronics ha anunciado dos innovaciones tecnológicas, la más importante el primer chip del mundo de almacenamiento en flash NAND de 32 gigas, con una capacidad estimada para unas 36.000 fotografías de alta resolución o 40 películas de cine en calidad DVD. La empresa surcoreana también anunció el desarrollo del primer P-RAM (memoria de acceso aleatorio que almacena los datos de sonidos y programaciones) del mundo de 512 megabits.

El mayor productor del mundo de chips de memoria señaló que para dar este gran paso en el campo de los semiconductores empleó además la tecnología de 40 nanómetros (milmillonésima parte de un metro).
Otra sustancial mejora puesto que el año pasado Samsung presentó el chip de memoria flash NAND de 16 gigas, para el que empleó la tecnología 50 nanómetros. La memoria flash NAND es un chip semiconductor que guarda información incluso si se desconecta de una fuente de energía. Su utilización se ha extendido a la vida diaria en ordenadores portátiles, teléfonos móviles o cámaras fotográficas.

El gigante surcoreano de la electrónica ha dominado el campo de la memoria artificial desde 1999, cuando presentó la primera tarjeta de flash NAND de 256 megabits. Desde entonces, año tras año, se ha ocupado de ser el primero en lograr nuevas cotas en la capacidad de este tipo de chips.

Fuente: libertaddigital.com